STL24N60M2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STL24N60M2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
Тип корпуса: POWERFLAT8X8HV
Аналог (замена) для STL24N60M2
STL24N60M2 Datasheet (PDF)
stl24n60m2.pdf

STL24N60M2N-channel 600 V, 0.186 typ., 18 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS @ TJmax RDS(on) max IDS(2) Bottom viewS(2)S(2)STL24N60M2 650 V 0.21 18 AG(1)D(3) Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area vs previous generation Low gate input resistancePowerFLAT
stl24nm60n.pdf

STL24NM60NN-channel 600 V, 0.200 , 16 A PowerFLAT (8x8) HVMDmesh II Power MOSFETPreliminary dataFeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDS(3) Bottom viewTJmax maxS(3)S(3)G(1)STL24NM60N 650 V
Другие MOSFET... STL18N65M5 , STL19N65M5 , STL20DN10F7 , STL20NM20N , STL220N3LLH7 , STL22N65M5 , STL23NM50N , STL23NS3LLH7 , IRFZ48N , STL260N3LLH6 , STL2N80K5 , STL30N10F7 , STL30P3LLH6 , STL31N65M5 , STL33N60M2 , STL34N65M5 , STL35N6F3 .
History: AOSX21319C | IPD70N10S3-12 | IXFT21N50F | BLS65R380-D | FQU5N60CTU | MCAC10H03-TP
History: AOSX21319C | IPD70N10S3-12 | IXFT21N50F | BLS65R380-D | FQU5N60CTU | MCAC10H03-TP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики | k2837 datasheet