STL24N60M2 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: STL24N60M2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
Тип корпуса: POWERFLAT8X8HV
Аналог (замена) для STL24N60M2
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STL24N60M2 даташит
stl24n60m2.pdf
STL24N60M2 N-channel 600 V, 0.186 typ., 18 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package Datasheet - production data Features Order code VDS @ TJmax RDS(on) max ID S(2) Bottom view S(2) S(2) STL24N60M2 650 V 0.21 18 A G(1) D(3) Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area vs previous generation Low gate input resistance PowerFLAT
stl24nm60n.pdf
STL24NM60N N-channel 600 V, 0.200 , 16 A PowerFLAT (8x8) HV MDmesh II Power MOSFET Preliminary data Features VDSS @ RDS(on) Type ID S(3) Bottom view TJmax max S(3) S(3) G(1) STL24NM60N 650 V
Другие IGBT... STL18N65M5, STL19N65M5, STL20DN10F7, STL20NM20N, STL220N3LLH7, STL22N65M5, STL23NM50N, STL23NS3LLH7, STP65NF06, STL260N3LLH6, STL2N80K5, STL30N10F7, STL30P3LLH6, STL31N65M5, STL33N60M2, STL34N65M5, STL35N6F3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ | ASDM20N100Q | ASDM12N65F | ASDM100R750PKQ | ASDM100R160NKQ | ASDM100R090NP | ASDM100R066NQ | ASDM100R045NQ | ASDM100N34KQ | ASDM100N15KQ | FTF30P35D
Popular searches
mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики | k2837 datasheet


