STL2N80K5 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL2N80K5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT5X6VHV

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STL2N80K5 datasheet

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STL2N80K5

STL2N80K5 N-channel 800 V, 3.7 typ., 1.5 A Zener-protected MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on)max. ID STL2N80K5 800 V 4.5 1.5 A Industry s lowest RDS(on) 1 Industry s best figure of merit (FoM) 2 3 Ultra low gate charge 4 100% avalanche tested PowerFLAT 5x6 VHV Zener-

Otros transistores... STL20DN10F7, STL20NM20N, STL220N3LLH7, STL22N65M5, STL23NM50N, STL23NS3LLH7, STL24N60M2, STL260N3LLH6, 7N60, STL30N10F7, STL30P3LLH6, STL31N65M5, STL33N60M2, STL34N65M5, STL35N6F3, STL36N55M5, STL38N65M5