STL2N80K5 Todos los transistores

 

STL2N80K5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STL2N80K5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6VHV
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STL2N80K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1051K  st
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STL2N80K5

STL2N80K5N-channel 800 V, 3.7 typ., 1.5 A Zener-protected MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHVDatasheet - production dataFeatures Order code VDS RDS(on)max. IDSTL2N80K5 800 V 4.5 1.5 A Industrys lowest RDS(on)1 Industrys best figure of merit (FoM)23 Ultra low gate charge4 100% avalanche testedPowerFLAT 5x6 VHV Zener-

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