STL35N6F3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STL35N6F3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 173 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
Encapsulados: POWERFLAT5X6
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STL35N6F3 datasheet
stl35n6f3.pdf
STL35N6F3 N-channel 60 V, 0.019 , 10 A STripFET III Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 package Datasheet production data Features Order code VDSS RDS(on) max ID STL35N6F3 60 V
stl35n15f3.pdf
STL35N15F3 N-channel 150 V, 0.04 , 7 A, PowerFLAT (5x6) STripFET III Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STL35N15F3 150 V
Otros transistores... STL24N60M2, STL260N3LLH6, STL2N80K5, STL30N10F7, STL30P3LLH6, STL31N65M5, STL33N60M2, STL34N65M5, IRFB7545, STL36N55M5, STL38N65M5, STL3N10F7, STL3NK40, STL3NM60N, STL40C30H3LL, STL40N10F7, STL40N75LF3
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ | ASDM20N100Q | ASDM12N65F | ASDM100R750PKQ | ASDM100R160NKQ | ASDM100R090NP | ASDM100R066NQ | ASDM100R045NQ | ASDM100N34KQ | ASDM100N15KQ | FTF30P35D
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