STL35N6F3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STL35N6F3
Código: 35N6F3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 13.6 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 2.9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 173 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STL35N6F3
STL35N6F3 Datasheet (PDF)
stl35n6f3.pdf
STL35N6F3N-channel 60 V, 0.019 , 10 A STripFET III Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 packageDatasheet production dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max IDSTL35N6F3 60 V
stl35nf3ll.pdf
STL35NF3LLN-CHANNEL 30V - 0.0055 - 35A PowerFLATLOW GATE CHARGE STripFET MOSFETTARGET DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTL35NF3LL 30 V
stl35n15f3.pdf
STL35N15F3N-channel 150 V, 0.04 , 7 A, PowerFLAT (5x6)STripFET III Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTL35N15F3 150 V
stl35nf10.pdf
STL35NF10N-CHANNEL 100V - 0.025 - 35A PowerFLATLOW GATE CHARGE STripFET MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTL35NF10 100 V
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
