STL35N6F3 Todos los transistores

 

STL35N6F3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STL35N6F3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 173 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6
 

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STL35N6F3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:989K  st
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STL35N6F3

STL35N6F3N-channel 60 V, 0.019 , 10 A STripFET III Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 packageDatasheet production dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max IDSTL35N6F3 60 V

 8.1. Size:183K  st
 stl35nf3ll.pdf pdf_icon

STL35N6F3

STL35NF3LLN-CHANNEL 30V - 0.0055 - 35A PowerFLATLOW GATE CHARGE STripFET MOSFETTARGET DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTL35NF3LL 30 V

 8.2. Size:673K  st
 stl35n15f3.pdf pdf_icon

STL35N6F3

STL35N15F3N-channel 150 V, 0.04 , 7 A, PowerFLAT (5x6)STripFET III Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTL35N15F3 150 V

 8.3. Size:165K  st
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STL35N6F3

STL35NF10N-CHANNEL 100V - 0.025 - 35A PowerFLATLOW GATE CHARGE STripFET MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTL35NF10 100 V

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History: JCS620FT | SPC4567 | CSD17577Q3A | NCEP40T13AGU | VS3622DE | SPN10T10 | HY3403B

 

 
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