STL38N65M5 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STL38N65M5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 74 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
Encapsulados: POWERFLAT8X8HV
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STL38N65M5 datasheet
stl38n65m5.pdf
STL38N65M5 N-channel 650 V, 0.090 typ., 22.5 A MDmesh V Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package Datasheet preliminary data Features VDS @ RDS(on) Order code ID S(2) Bottom view TJmax max S(2) S(2) G(1) STL38N65M5 710 V 0.105 22.5 A(1) D(3) 1. The value is rated according to Rthj-case and limited by package. 100% avalanche tested PowerFLAT 8x8 HV
Otros transistores... STL2N80K5, STL30N10F7, STL30P3LLH6, STL31N65M5, STL33N60M2, STL34N65M5, STL35N6F3, STL36N55M5, K2611, STL3N10F7, STL3NK40, STL3NM60N, STL40C30H3LL, STL40N10F7, STL40N75LF3, STL42P4LLF6, STL42P6LLF6
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ | ASDM20N100Q | ASDM12N65F | ASDM100R750PKQ | ASDM100R160NKQ | ASDM100R090NP | ASDM100R066NQ | ASDM100R045NQ | ASDM100N34KQ | ASDM100N15KQ | FTF30P35D
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