Справочник MOSFET. STL38N65M5

 

STL38N65M5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STL38N65M5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 74 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: POWERFLAT8X8HV
 

 Аналог (замена) для STL38N65M5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL38N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1101K  st
 stl38n65m5.pdf pdf_icon

STL38N65M5

STL38N65M5N-channel 650 V, 0.090 typ., 22.5 A MDmesh V Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV packageDatasheet preliminary dataFeaturesVDS @ RDS(on) Order code IDS(2) Bottom viewTJmax maxS(2)S(2)G(1)STL38N65M5 710 V 0.105 22.5 A(1)D(3)1. The value is rated according to Rthj-case and limited by package. 100% avalanche testedPowerFLAT 8x8 HV

Другие MOSFET... STL2N80K5 , STL30N10F7 , STL30P3LLH6 , STL31N65M5 , STL33N60M2 , STL34N65M5 , STL35N6F3 , STL36N55M5 , IRF9640 , STL3N10F7 , STL3NK40 , STL3NM60N , STL40C30H3LL , STL40N10F7 , STL40N75LF3 , STL42P4LLF6 , STL42P6LLF6 .

History: HGA046NE6AL | PMPB29XPE | HGN088N15SL | NTMFS4851NT1G | UTD408L-TN3-R | FIR4N60FG | PJW7N06A

 

 
Back to Top

 


 
.