STL42P4LLF6 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL42P4LLF6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT5X6

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STL42P4LLF6 datasheet

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STL42P4LLF6

STL42P4LLF6 P-channel 40 V, 0.0155 typ.,42 A, STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STL42P4LLF6 40 V 0.018 42 A 75 W 1 2 3 Very low on-resistance 4 Very low gate charge High avalanche ruggedness PowerFLAT 5x6 Low gate drive power loss Applications

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STL42P4LLF6

STL42P6LLF6 P-channel 60 V, 0.023 typ., 42 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) D STL42P6LLF6 60 V 0.026 @ 10 V 42 A 1 2 3 4 Very low on-resistance Very low gate charge PowerFLAT 5x6 High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Applications Fi

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STL42P4LLF6

STL42N65M5 N-channel 650 V, 0.070 , 34 A MDmesh V Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HV package Datasheet preliminary data Features VDSS @ RDS(on) Order code ID S(2) Bottom view TJmax max S(2) S(2) G(1) STL42N65M5 710 V

Otros transistores... STL36N55M5, STL38N65M5, STL3N10F7, STL3NK40, STL3NM60N, STL40C30H3LL, STL40N10F7, STL40N75LF3, IRFP064N, STL42P6LLF6, STL45N65M5, STL4N10F7, STL4N80K5, STL4P2UH7, STL4P3LLH6, STL50NH3LL, STL51N3LLH5