STL42P4LLF6 Todos los transistores

 

STL42P4LLF6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STL42P4LLF6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6
 

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STL42P4LLF6 Datasheet (PDF)

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STL42P4LLF6

STL42P4LLF6 P-channel 40 V, 0.0155 typ.,42 A, STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTL42P4LLF6 40 V 0.018 42 A 75 W 123 Very low on-resistance 4 Very low gate charge High avalanche ruggedness PowerFLAT 5x6 Low gate drive power loss Applications

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STL42P4LLF6

STL42P6LLF6 P-channel 60 V, 0.023 typ., 42 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTL42P6LLF6 60 V 0.026 @ 10 V 42 A 1234 Very low on-resistance Very low gate charge PowerFLAT 5x6 High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Applications Fi

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STL42P4LLF6

STL42N65M5N-channel 650 V, 0.070 , 34 A MDmesh V Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HV packageDatasheet preliminary dataFeaturesVDSS @ RDS(on) Order code IDS(2) Bottom viewTJmax maxS(2)S(2)G(1)STL42N65M5 710 V

Otros transistores... STL36N55M5 , STL38N65M5 , STL3N10F7 , STL3NK40 , STL3NM60N , STL40C30H3LL , STL40N10F7 , STL40N75LF3 , 5N50 , STL42P6LLF6 , STL45N65M5 , STL4N10F7 , STL4N80K5 , STL4P2UH7 , STL4P3LLH6 , STL50NH3LL , STL51N3LLH5 .

History: 2SK2596 | APQ0DSN60AJ | TT8K11 | NP82N055NHE | BSO200P03S

 

 
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