STL42P4LLF6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STL42P4LLF6
Маркировка: 42P4LLF6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC
trⓘ - Время нарастания: 47 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: POWERFLAT5X6
Аналог (замена) для STL42P4LLF6
STL42P4LLF6 Datasheet (PDF)
stl42p4llf6.pdf
STL42P4LLF6 P-channel 40 V, 0.0155 typ.,42 A, STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTL42P4LLF6 40 V 0.018 42 A 75 W 123 Very low on-resistance 4 Very low gate charge High avalanche ruggedness PowerFLAT 5x6 Low gate drive power loss Applications
stl42p6llf6.pdf
STL42P6LLF6 P-channel 60 V, 0.023 typ., 42 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTL42P6LLF6 60 V 0.026 @ 10 V 42 A 1234 Very low on-resistance Very low gate charge PowerFLAT 5x6 High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Applications Fi
stl42n65m5.pdf
STL42N65M5N-channel 650 V, 0.070 , 34 A MDmesh V Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HV packageDatasheet preliminary dataFeaturesVDSS @ RDS(on) Order code IDS(2) Bottom viewTJmax maxS(2)S(2)G(1)STL42N65M5 710 V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
