STL4N80K5 Todos los transistores

 

STL4N80K5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STL4N80K5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6VHV
 

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STL4N80K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:949K  st
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STL4N80K5

STL4N80K5N-channel 800 V, 2.1 typ., 2.5 A MDMesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on)max. IDSTL4N80K5 800 V 2.5 2.5 A Industrys lowest RDS(on) x area1 Industrys best figure of merit (FoM) 23 Ultra low gate charge4 100% avalanche testedPowerFLAT 5x6 VHV Zener pro

 9.1. Size:891K  st
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STL4N80K5

STL4N10F7N-channel 100 V, 0.062 typ., 4.5 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTL4N10F7 100 V 0.07 4.5 A N-channel enhancement mode123 Lower RDS(on) x area vs previous generation4 100% avalanche ratedPowerFLAT 3.3x3.3Applications Switching

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History: MEM2303XG-N | DH400P06F | RJK1576DPA | IXFT86N30T | IRFS723 | ME70N03S-G | IPB180N08S4-02

 

 
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