STL4N80K5 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL4N80K5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT5X6VHV

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STL4N80K5 datasheet

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STL4N80K5

STL4N80K5 N-channel 800 V, 2.1 typ., 2.5 A MDMesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on)max. ID STL4N80K5 800 V 2.5 2.5 A Industry s lowest RDS(on) x area 1 Industry s best figure of merit (FoM) 2 3 Ultra low gate charge 4 100% avalanche tested PowerFLAT 5x6 VHV Zener pro

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STL4N80K5

STL4N10F7 N-channel 100 V, 0.062 typ., 4.5 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID STL4N10F7 100 V 0.07 4.5 A N-channel enhancement mode 1 2 3 Lower RDS(on) x area vs previous generation 4 100% avalanche rated PowerFLAT 3.3x3.3 Applications Switching

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