STL51N3LLH5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STL51N3LLH5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 22 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0145 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6
Búsqueda de reemplazo de STL51N3LLH5 MOSFET
STL51N3LLH5 Datasheet (PDF)
stl51n3llh5.pdf
STL51N3LLH5N-channel 30 V, 0.0105 , 51 A, PowerFLAT 5x6STripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTL51N3LLH5 30 V
Otros transistores... STL42P4LLF6 , STL42P6LLF6 , STL45N65M5 , STL4N10F7 , STL4N80K5 , STL4P2UH7 , STL4P3LLH6 , STL50NH3LL , IRF540 , STL55NH3LL , STL57N65M5 , STL58N3LLH5 , STL60N10F7 , STL60NH3LL , STL60P4LLF6 , STL62P3LLH6 , STL66DN3LLH5 .
History: BRCS045N10SHBD | CJBM3020 | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | 2SJ0536
History: BRCS045N10SHBD | CJBM3020 | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | 2SJ0536
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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