STL51N3LLH5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STL51N3LLH5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 22 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT5X6

Аналог (замена) для STL51N3LLH5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL51N3LLH5 даташит

 ..1. Size:818K  st
 stl51n3llh5.pdf pdf_icon

STL51N3LLH5

STL51N3LLH5 N-channel 30 V, 0.0105 , 51 A, PowerFLAT 5x6 STripFET V Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STL51N3LLH5 30 V

Другие IGBT... STL42P4LLF6, STL42P6LLF6, STL45N65M5, STL4N10F7, STL4N80K5, STL4P2UH7, STL4P3LLH6, STL50NH3LL, IRF540N, STL55NH3LL, STL57N65M5, STL58N3LLH5, STL60N10F7, STL60NH3LL, STL60P4LLF6, STL62P3LLH6, STL66DN3LLH5