STL51N3LLH5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STL51N3LLH5
Маркировка: 51N3LLH5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 22 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5 nC
trⓘ - Время нарастания: 4.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm
Тип корпуса: POWERFLAT5X6
Аналог (замена) для STL51N3LLH5
STL51N3LLH5 Datasheet (PDF)
..1. Size:818K st
stl51n3llh5.pdf
stl51n3llh5.pdf
STL51N3LLH5N-channel 30 V, 0.0105 , 51 A, PowerFLAT 5x6STripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTL51N3LLH5 30 V
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918