STL62P3LLH6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STL62P3LLH6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 112 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 414 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6
Búsqueda de reemplazo de STL62P3LLH6 MOSFET
STL62P3LLH6 Datasheet (PDF)
stl62p3llh6.pdf

STL62P3LLH6 P-channel 30 V, 0.009 typ., 62 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order codes V R max I DS DS(on) DSTL62P3LLH6 30 V 0.0105 62 A Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Applications Switching applications Figure 1: I
Otros transistores... STL50NH3LL , STL51N3LLH5 , STL55NH3LL , STL57N65M5 , STL58N3LLH5 , STL60N10F7 , STL60NH3LL , STL60P4LLF6 , IRFP260N , STL66DN3LLH5 , STL66N3LLH5 , STL6N2VH5 , STL6N3LLH6 , STL6NM60N , STL6P3LLH6 , STL70N10F3 , STL75NH3LL .
History: CSD85312Q3E | AP1R803GMT-HF | HM4886E
History: CSD85312Q3E | AP1R803GMT-HF | HM4886E



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