STL62P3LLH6 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STL62P3LLH6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 112 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 414 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT5X6

Аналог (замена) для STL62P3LLH6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL62P3LLH6 даташит

 ..1. Size:777K  st
 stl62p3llh6.pdf pdf_icon

STL62P3LLH6

STL62P3LLH6 P-channel 30 V, 0.009 typ., 62 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order codes V R max I DS DS(on) D STL62P3LLH6 30 V 0.0105 62 A Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Applications Switching applications Figure 1 I

Другие IGBT... STL50NH3LL, STL51N3LLH5, STL55NH3LL, STL57N65M5, STL58N3LLH5, STL60N10F7, STL60NH3LL, STL60P4LLF6, IRLZ44N, STL66DN3LLH5, STL66N3LLH5, STL6N2VH5, STL6N3LLH6, STL6NM60N, STL6P3LLH6, STL70N10F3, STL75NH3LL