STL66DN3LLH5 Todos los transistores

 

STL66DN3LLH5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STL66DN3LLH5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 22 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6
     - Selección de transistores por parámetros

 

STL66DN3LLH5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:611K  st
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STL66DN3LLH5

STL66DN3LLH5Dual N-channel 30 V, 5.9 m, 20 A STripFET V Power MOSFETin PowerFLAT 5x6 double island packageDatasheet production dataFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTL66DN3LLH5 30 V

 9.1. Size:711K  st
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STL66DN3LLH5

STL66N3LLH5N-channel 30 V, 0.0048 , 21 A PowerFLAT 5x6STripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Order code VDSS IDmaxSTL66N3LLH5 30 V

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: ME2306BS-G | NVD14N03R

 

 
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