STL66N3LLH5 Todos los transistores

 

STL66N3LLH5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STL66N3LLH5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 22 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 295 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6
 

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STL66N3LLH5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:711K  st
 stl66n3llh5.pdf pdf_icon

STL66N3LLH5

STL66N3LLH5N-channel 30 V, 0.0048 , 21 A PowerFLAT 5x6STripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Order code VDSS IDmaxSTL66N3LLH5 30 V

 9.1. Size:611K  st
 stl66dn3llh5.pdf pdf_icon

STL66N3LLH5

STL66DN3LLH5Dual N-channel 30 V, 5.9 m, 20 A STripFET V Power MOSFETin PowerFLAT 5x6 double island packageDatasheet production dataFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTL66DN3LLH5 30 V

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History: SVD3205F | HAT2160N

 

 
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