STL66N3LLH5 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL66N3LLH5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 22 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 295 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT5X6

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STL66N3LLH5 datasheet

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STL66N3LLH5

STL66N3LLH5 N-channel 30 V, 0.0048 , 21 A PowerFLAT 5x6 STripFET V Power MOSFET Features RDS(on) Order code VDSS ID max STL66N3LLH5 30 V

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STL66N3LLH5

STL66DN3LLH5 Dual N-channel 30 V, 5.9 m , 20 A STripFET V Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 double island package Datasheet production data Features RDS(on) Type VDSS ID max STL66DN3LLH5 30 V

Otros transistores... STL55NH3LL, STL57N65M5, STL58N3LLH5, STL60N10F7, STL60NH3LL, STL60P4LLF6, STL62P3LLH6, STL66DN3LLH5, IRF640N, STL6N2VH5, STL6N3LLH6, STL6NM60N, STL6P3LLH6, STL70N10F3, STL75NH3LL, STL7DN6LF3, STL7N10F7