STL66N3LLH5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STL66N3LLH5
Código: 66N3LLH5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 22 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 14.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 295 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STL66N3LLH5
STL66N3LLH5 Datasheet (PDF)
..1. Size:711K st
stl66n3llh5.pdf
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STL66N3LLH5N-channel 30 V, 0.0048 , 21 A PowerFLAT 5x6STripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Order code VDSS IDmaxSTL66N3LLH5 30 V
9.1. Size:611K st
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STL66DN3LLH5Dual N-channel 30 V, 5.9 m, 20 A STripFET V Power MOSFETin PowerFLAT 5x6 double island packageDatasheet production dataFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTL66DN3LLH5 30 V
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