STL66N3LLH5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STL66N3LLH5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 22 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 295 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT5X6

Аналог (замена) для STL66N3LLH5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL66N3LLH5 даташит

 ..1. Size:711K  st
 stl66n3llh5.pdf pdf_icon

STL66N3LLH5

STL66N3LLH5 N-channel 30 V, 0.0048 , 21 A PowerFLAT 5x6 STripFET V Power MOSFET Features RDS(on) Order code VDSS ID max STL66N3LLH5 30 V

 9.1. Size:611K  st
 stl66dn3llh5.pdf pdf_icon

STL66N3LLH5

STL66DN3LLH5 Dual N-channel 30 V, 5.9 m , 20 A STripFET V Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 double island package Datasheet production data Features RDS(on) Type VDSS ID max STL66DN3LLH5 30 V

Другие IGBT... STL55NH3LL, STL57N65M5, STL58N3LLH5, STL60N10F7, STL60NH3LL, STL60P4LLF6, STL62P3LLH6, STL66DN3LLH5, IRF640N, STL6N2VH5, STL6N3LLH6, STL6NM60N, STL6P3LLH6, STL70N10F3, STL75NH3LL, STL7DN6LF3, STL7N10F7