STL6N3LLH6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STL6N3LLH6
   Código: STG1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 3.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT2X2

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STL6N3LLH6

STL6N3LLH6 Datasheet (PDF)

..1. Size:1077K st
stl6n3llh6.pdf

STL6N3LLH6N-channel 30 V, 0.021 typ., 6 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 packageDatasheet preliminary dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max. ID PTOT120.025 (VGS=10 V)3STL6N3LLH6 30 V 6 A 2.4W0.04 (VGS=4.5 V) RDS(on) * Qg industry benchmark6152 Extremely low on-resistance RDS(on)43 High avalanche rugge

9.1. Size:292K st
stl6nm60n.pdf

STL6NM60NN-channel 600 V - 0.85 - 5.75 A - PowerFLAT (5x5)ultra low gate charge MDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDTJMAX MaxSTL6NM60N 650 V

9.2. Size:891K st
stl6n2vh5.pdf

STL6N2VH5N-channel 20 V, 0.025 typ., 6 A STripFET V Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 packageDatasheet production dataFeatures Order code VDS RDS(on) max. ID PTOT120.03 (VGS=4.5 V)3STL6N2VH5 20 V 6 A 2.4 W 0.04 (VGS=2.5 V)6 Very low switching gate charge152 Very low thermal resistance43 Conduction losses reducedPowerFLAT 2x2

9.3. Size:231K st
stl6nk55z.pdf