STL6N3LLH6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STL6N3LLH6
Маркировка: STG1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3.6 nC
trⓘ - Время нарастания: 11.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: POWERFLAT2X2
Аналог (замена) для STL6N3LLH6
STL6N3LLH6 Datasheet (PDF)
stl6n3llh6.pdf
STL6N3LLH6N-channel 30 V, 0.021 typ., 6 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 packageDatasheet preliminary dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max. ID PTOT120.025 (VGS=10 V)3STL6N3LLH6 30 V 6 A 2.4W0.04 (VGS=4.5 V) RDS(on) * Qg industry benchmark6152 Extremely low on-resistance RDS(on)43 High avalanche rugge
stl6nm60n.pdf
STL6NM60NN-channel 600 V - 0.85 - 5.75 A - PowerFLAT (5x5)ultra low gate charge MDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDTJMAX MaxSTL6NM60N 650 V
stl6n2vh5.pdf
STL6N2VH5N-channel 20 V, 0.025 typ., 6 A STripFET V Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 packageDatasheet production dataFeatures Order code VDS RDS(on) max. ID PTOT120.03 (VGS=4.5 V)3STL6N2VH5 20 V 6 A 2.4 W 0.04 (VGS=2.5 V)6 Very low switching gate charge152 Very low thermal resistance43 Conduction losses reducedPowerFLAT 2x2
stl6nk55z.pdf
STL6NK55ZN-CHANNEL 550V - 1.2 - 5.2A PowerFLATZener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID (1) Pw (1)STL6NK55Z 550 V
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
