STL6NM60N Todos los transistores

 

STL6NM60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STL6NM60N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.92 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X5
 

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STL6NM60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:292K  st
 stl6nm60n.pdf pdf_icon

STL6NM60N

STL6NM60NN-channel 600 V - 0.85 - 5.75 A - PowerFLAT (5x5)ultra low gate charge MDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDTJMAX MaxSTL6NM60N 650 V

 9.1. Size:891K  st
 stl6n2vh5.pdf pdf_icon

STL6NM60N

STL6N2VH5N-channel 20 V, 0.025 typ., 6 A STripFET V Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 packageDatasheet production dataFeatures Order code VDS RDS(on) max. ID PTOT120.03 (VGS=4.5 V)3STL6N2VH5 20 V 6 A 2.4 W 0.04 (VGS=2.5 V)6 Very low switching gate charge152 Very low thermal resistance43 Conduction losses reducedPowerFLAT 2x2

 9.2. Size:1077K  st
 stl6n3llh6.pdf pdf_icon

STL6NM60N

STL6N3LLH6N-channel 30 V, 0.021 typ., 6 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 packageDatasheet preliminary dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max. ID PTOT120.025 (VGS=10 V)3STL6N3LLH6 30 V 6 A 2.4W0.04 (VGS=4.5 V) RDS(on) * Qg industry benchmark6152 Extremely low on-resistance RDS(on)43 High avalanche rugge

 9.3. Size:231K  st
 stl6nk55z.pdf pdf_icon

STL6NM60N

STL6NK55ZN-CHANNEL 550V - 1.2 - 5.2A PowerFLATZener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID (1) Pw (1)STL6NK55Z 550 V

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History: AP6P070H | DH100P28 | WFD1N60

 

 
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