STL6NM60N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL6NM60N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.92 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT5X5

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STL6NM60N datasheet

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STL6NM60N

STL6NM60N N-channel 600 V - 0.85 - 5.75 A - PowerFLAT (5x5) ultra low gate charge MDmesh II Power MOSFET Features VDSS @ RDS(on) Type ID TJMAX Max STL6NM60N 650 V

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STL6NM60N

STL6N2VH5 N-channel 20 V, 0.025 typ., 6 A STripFET V Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 package Datasheet production data Features Order code VDS RDS(on) max. ID PTOT 1 2 0.03 (VGS=4.5 V) 3 STL6N2VH5 20 V 6 A 2.4 W 0.04 (VGS=2.5 V) 6 Very low switching gate charge 1 5 2 Very low thermal resistance 4 3 Conduction losses reduced PowerFLAT 2x2

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STL6NM60N

STL6N3LLH6 N-channel 30 V, 0.021 typ., 6 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 package Datasheet preliminary data Features Order code VDSS RDS(on) max. ID PTOT 1 2 0.025 (VGS=10 V) 3 STL6N3LLH6 30 V 6 A 2.4W 0.04 (VGS=4.5 V) RDS(on) * Qg industry benchmark 6 1 5 2 Extremely low on-resistance RDS(on) 4 3 High avalanche rugge

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STL6NM60N

STL6NK55Z N-CHANNEL 550V - 1.2 - 5.2A PowerFLAT Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID (1) Pw (1) STL6NK55Z 550 V

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