STL7DN6LF3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STL7DN6LF3
   Código: 7DN6LF3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 93 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STL7DN6LF3

STL7DN6LF3 Datasheet (PDF)

..1. Size:987K st
stl7dn6lf3.pdf

STL7DN6LF3Automotive-grade dual N-channel 60 V, 35 m typ., 6.5 ASTripFET F3 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 double islandDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS IDmaxSTL7DN6LF3 60 V 43 m 6.5 A1 Designed for automotive application and 23AEC-Q101 qualified4 Logic level VGS(th)PowerFLAT 5x6 double island 175 C junction tempe

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Liste

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