STL7DN6LF3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STL7DN6LF3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 93 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6
Búsqueda de reemplazo de STL7DN6LF3 MOSFET
STL7DN6LF3 Datasheet (PDF)
stl7dn6lf3.pdf
STL7DN6LF3Automotive-grade dual N-channel 60 V, 35 m typ., 6.5 ASTripFET F3 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 double islandDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS IDmaxSTL7DN6LF3 60 V 43 m 6.5 A1 Designed for automotive application and 23AEC-Q101 qualified4 Logic level VGS(th)PowerFLAT 5x6 double island 175 C junction tempe
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History: RU20120L | CHM9956AJGP | JCS5N50CC | HY050N08C2 | AP2304GN-HF | CHM9926PAGP
History: RU20120L | CHM9956AJGP | JCS5N50CC | HY050N08C2 | AP2304GN-HF | CHM9926PAGP
Liste
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