STL7DN6LF3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STL7DN6LF3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 10.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm
Тип корпуса: POWERFLAT5X6
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STL7DN6LF3 Datasheet (PDF)
stl7dn6lf3.pdf

STL7DN6LF3Automotive-grade dual N-channel 60 V, 35 m typ., 6.5 ASTripFET F3 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 double islandDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS IDmaxSTL7DN6LF3 60 V 43 m 6.5 A1 Designed for automotive application and 23AEC-Q101 qualified4 Logic level VGS(th)PowerFLAT 5x6 double island 175 C junction tempe
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: RU20N65P
History: RU20N65P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
irf540 | bc337 | ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44 | 2n5551 | irf540n