STL7DN6LF3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STL7DN6LF3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT5X6

Аналог (замена) для STL7DN6LF3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL7DN6LF3 даташит

 ..1. Size:987K  st
 stl7dn6lf3.pdf pdf_icon

STL7DN6LF3

STL7DN6LF3 Automotive-grade dual N-channel 60 V, 35 m typ., 6.5 A STripFET F3 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 double island Datasheet - production data Features RDS(on) Order code VDS ID max STL7DN6LF3 60 V 43 m 6.5 A 1 Designed for automotive application and 2 3 AEC-Q101 qualified 4 Logic level VGS(th) PowerFLAT 5x6 double island 175 C junction tempe

Другие IGBT... STL66DN3LLH5, STL66N3LLH5, STL6N2VH5, STL6N3LLH6, STL6NM60N, STL6P3LLH6, STL70N10F3, STL75NH3LL, IRFB4115, STL7N10F7, STL7N6LF3, STL7N80K5, STL86N3LLH6AG, STL8DN10LF3, STL8DN4LLF6, STL8DN6LF3, STL8N10F7