STL7DN6LF3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STL7DN6LF3
Маркировка: 7DN6LF3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.7 nC
trⓘ - Время нарастания: 10.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm
Тип корпуса: POWERFLAT5X6
Аналог (замена) для STL7DN6LF3
STL7DN6LF3 Datasheet (PDF)
..1. Size:987K st
stl7dn6lf3.pdf
stl7dn6lf3.pdf
STL7DN6LF3Automotive-grade dual N-channel 60 V, 35 m typ., 6.5 ASTripFET F3 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 double islandDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS IDmaxSTL7DN6LF3 60 V 43 m 6.5 A1 Designed for automotive application and 23AEC-Q101 qualified4 Logic level VGS(th)PowerFLAT 5x6 double island 175 C junction tempe
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
