STL8DN4LLF6 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL8DN4LLF6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT5X6

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STL8DN4LLF6 datasheet

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STL8DN4LLF6

STL8DN4LLF6 Dual N-channel 40 V, 0.025 typ., 8 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 double island package Datasheet - target specification Features Order code VDS RDS(on)max ID 0.03 (VGS=10 V) STL8DN4LLF6 40 V 8 A 0.05 (VGS=4.5 V) Very low on-resistance High avalanche ruggedness PowerFLAT 5x6 double island Applications Switching

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STL8DN4LLF6

STL8DN6LF3 Dual N-channel 60 V, 22.5 m typ., 7.8 A STripFET III Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 double island package Datasheet production data Features RDS(on) Order code VDSS ID max STL8DN6LF3 60 V

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STL8DN4LLF6

STL8DN10LF3 Automotive-grade dual N-channel 100 V, 25 m typ., 7.8 A STripFET III Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 double island package Datasheet production data Features Order code VDS RDS(on) max ID STL8DN10LF3 100 V 35 m 7.8 A Designed for automotive applications and 1 2 AEC-Q101 qualified 3 4 Logic level VGS(th) PowerFLAT 5x6 175 C junction

Otros transistores... STL70N10F3, STL75NH3LL, STL7DN6LF3, STL7N10F7, STL7N6LF3, STL7N80K5, STL86N3LLH6AG, STL8DN10LF3, IRF630, STL8DN6LF3, STL8N10F7, STL8N10LF3, STL8N80K5, STL8NH3LL, STL8P2UH7, STL8P4LLF6, STL90N10F7