STL8P4LLF6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STL8P4LLF6
Código: 8P4F6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.9 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 22 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0205 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERFLAT3.3X3.3
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STL8P4LLF6
STL8P4LLF6 Datasheet (PDF)
stl8p4llf6.pdf
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stl8p2uh7.pdf
STL8P2UH7 P-channel 20 V, 0.0195 typ., 8 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 package Datasheet - production data Features 123 Order code V R max I 6 DS DS(on) D15243 STL8P2UH7 20 V 0.0225 @ 4.5 V 8 A PowerFLAT 2x2 Extremely low on-resistance R DS(on) Ultra logic level Figure 1: Internal schematic diagram Applic
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