STL8P4LLF6 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STL8P4LLF6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0205 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT3.3X3.3

Аналог (замена) для STL8P4LLF6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL8P4LLF6 даташит

 ..1. Size:359K  st
 stl8p4llf6.pdf pdf_icon

STL8P4LLF6

STL8P4LLF6 P-channel 40 V, 0.0175 typ.,8 A, STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 x 3.3 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STL8P4LLF6 40 V 0.0205 8 A 2.9 W 1 2 Very low on-resistance 3 4 Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss PowerFLAT 3.3x3.3 Appl

 9.1. Size:537K  st
 stl8p2uh7.pdf pdf_icon

STL8P4LLF6

STL8P2UH7 P-channel 20 V, 0.0195 typ., 8 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 package Datasheet - production data Features 1 2 3 Order code V R max I 6 DS DS(on) D 1 5 2 4 3 STL8P2UH7 20 V 0.0225 @ 4.5 V 8 A PowerFLAT 2x2 Extremely low on-resistance R DS(on) Ultra logic level Figure 1 Internal schematic diagram Applic

Другие IGBT... STL8DN10LF3, STL8DN4LLF6, STL8DN6LF3, STL8N10F7, STL8N10LF3, STL8N80K5, STL8NH3LL, STL8P2UH7, IRF4905, STL90N10F7, STL9N60M2, STL9P2UH7, STV160NF02LAT4, STV160NF02LT4, STV160NF03LAT4, STV160NF03LT4, STV200N55F3