Справочник MOSFET. STL8P4LLF6

 

STL8P4LLF6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STL8P4LLF6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0205 Ohm
   Тип корпуса: POWERFLAT3.3X3.3
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL8P4LLF6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:359K  st
 stl8p4llf6.pdf pdf_icon

STL8P4LLF6

STL8P4LLF6 P-channel 40 V, 0.0175 typ.,8 A, STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 x 3.3 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTL8P4LLF6 40 V 0.0205 8 A 2.9 W 12 Very low on-resistance 34 Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss PowerFLAT 3.3x3.3Appl

 9.1. Size:537K  st
 stl8p2uh7.pdf pdf_icon

STL8P4LLF6

STL8P2UH7 P-channel 20 V, 0.0195 typ., 8 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 package Datasheet - production data Features 123 Order code V R max I 6 DS DS(on) D15243 STL8P2UH7 20 V 0.0225 @ 4.5 V 8 A PowerFLAT 2x2 Extremely low on-resistance R DS(on) Ultra logic level Figure 1: Internal schematic diagram Applic

Другие MOSFET... STL8DN10LF3 , STL8DN4LLF6 , STL8DN6LF3 , STL8N10F7 , STL8N10LF3 , STL8N80K5 , STL8NH3LL , STL8P2UH7 , IRF4905 , STL90N10F7 , STL9N60M2 , STL9P2UH7 , STV160NF02LAT4 , STV160NF02LT4 , STV160NF03LAT4 , STV160NF03LT4 , STV200N55F3 .

 

 
Back to Top

 


 
.