STL90N10F7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STL90N10F7
   Código: 90N10F7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 45 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STL90N10F7

STL90N10F7 Datasheet (PDF)

..1. Size:445K st
stl90n10f7.pdf

STL90N10F7 N-channel 100 V, 0.007 typ., 70 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTL90N10F7 100 V 0.008 70 A 100 W 123 Among the lowest RDS(on) on the market 4 Excellent figure of merit (FoM) Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity PowerFLAT 5x6 High

8.1. Size:375K st
stl90n6f7.pdf

STL90N6F7 N-channel 60 V, 0.0046 typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) DSTL90N6F7 60 V 0.0054 90 A 123 Among the lowest RDS(on) on the market 4 Excellent figure of merit (FoM) Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity PowerFLAT 5x6 High avalanche rugg

8.2. Size:668K st
stl90n3llh6.pdf

STL90N3LLH6N-channel 30 V, 0.0038 , 24 A PowerFLAT (5x6)STripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTL90N3LLH6 30 V 0.0045 24 A (1)1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmarkPowerFLAT ( 5x6 ) Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche ruggedness Low gate drive power losses Ver

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