STV160NF03LAT4 Todos los transistores

 

STV160NF03LAT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STV160NF03LAT4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 380 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERSO-10
 

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STV160NF03LAT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:346K  st
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STV160NF03LAT4

STV160NF03LAN-CHANNEL 30V - 0.0021 - 160A PowerSO-10STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTV160NF03LA 30 V

 2.1. Size:545K  st
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STV160NF03LAT4

STV160NF03LAN-CHANNEL 30V - 0.0021 - 160A PowerSO-10STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTV160NF03LA 30 V

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STV160NF03LAT4

STV160NF03LN-CHANNEL 30V - 0.0019 - 160A PowerSO-10STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTV160NF03L 30 V

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STV160NF03LAT4

STV160NF03LN-CHANNEL 30V - 0.0019 - 160A PowerSO-10STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTV160NF03L 30 V

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History: HGB023NE6A | BUK9Y8R5-80E | CSD17577Q3A | NCEP40T13AGU | VS3622DE | SPN10T10 | FQP6N90

 

 
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