STV160NF03LAT4 datasheet, аналоги, параметры транзистора

STV160NF03LAT4 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STV160NF03LAT4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 380 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: POWERSO-10

Аналог (замена) для STV160NF03LAT4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:346K st
stv160nf03lat4.pdf pdf_icon

STV160NF03LA N-CHANNEL 30V - 0.0021 - 160A PowerSO-10 STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STV160NF03LA 30 V

2.1. Size:545K st
stv160nf03la.pdf pdf_icon

STV160NF03LA N-CHANNEL 30V - 0.0021 - 160A PowerSO-10 STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STV160NF03LA 30 V

3.1. Size:548K st
stv160nf03l.pdf pdf_icon

STV160NF03L N-CHANNEL 30V - 0.0019 - 160A PowerSO-10 STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STV160NF03L 30 V

3.2. Size:347K st
stv160nf03lt4.pdf pdf_icon

STV160NF03L N-CHANNEL 30V - 0.0019 - 160A PowerSO-10 STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STV160NF03L 30 V