Справочник MOSFET. STV160NF03LAT4

 

STV160NF03LAT4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STV160NF03LAT4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 380 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: POWERSO-10
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STV160NF03LAT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:346K  st
 stv160nf03lat4.pdf pdf_icon

STV160NF03LAT4

STV160NF03LAN-CHANNEL 30V - 0.0021 - 160A PowerSO-10STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTV160NF03LA 30 V

 2.1. Size:545K  st
 stv160nf03la.pdf pdf_icon

STV160NF03LAT4

STV160NF03LAN-CHANNEL 30V - 0.0021 - 160A PowerSO-10STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTV160NF03LA 30 V

 3.1. Size:548K  st
 stv160nf03l.pdf pdf_icon

STV160NF03LAT4

STV160NF03LN-CHANNEL 30V - 0.0019 - 160A PowerSO-10STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTV160NF03L 30 V

 3.2. Size:347K  st
 stv160nf03lt4.pdf pdf_icon

STV160NF03LAT4

STV160NF03LN-CHANNEL 30V - 0.0019 - 160A PowerSO-10STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTV160NF03L 30 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IXKH70N60C5 | BSC014N06NS | IAUC100N10S5N040 | STU601S | STE15N100 | FS30KMJ-06F | VN0104N9

 

 
Back to Top

 


 
.