STV160NF03LT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STV160NF03LT4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 103 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 380 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1580 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERSO-10
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STV160NF03LT4
STV160NF03LT4 Datasheet (PDF)
stv160nf03lt4.pdf
STV160NF03LN-CHANNEL 30V - 0.0019 - 160A PowerSO-10STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTV160NF03L 30 V
stv160nf03lat4.pdf
STV160NF03LAN-CHANNEL 30V - 0.0021 - 160A PowerSO-10STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTV160NF03LA 30 V
stv160nf03la.pdf
STV160NF03LAN-CHANNEL 30V - 0.0021 - 160A PowerSO-10STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTV160NF03LA 30 V
stv160nf03l.pdf
STV160NF03LN-CHANNEL 30V - 0.0019 - 160A PowerSO-10STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTV160NF03L 30 V
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