STV160NF03LT4 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STV160NF03LT4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 380 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1580 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm

Тип корпуса: POWERSO-10

Аналог (замена) для STV160NF03LT4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STV160NF03LT4 даташит

 ..1. Size:347K  st
stv160nf03lt4.pdfpdf_icon

STV160NF03LT4

STV160NF03L N-CHANNEL 30V - 0.0019 - 160A PowerSO-10 STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STV160NF03L 30 V

 3.1. Size:346K  st
stv160nf03lat4.pdfpdf_icon

STV160NF03LT4

STV160NF03LA N-CHANNEL 30V - 0.0021 - 160A PowerSO-10 STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STV160NF03LA 30 V

 3.2. Size:545K  st
stv160nf03la.pdfpdf_icon

STV160NF03LT4

STV160NF03LA N-CHANNEL 30V - 0.0021 - 160A PowerSO-10 STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STV160NF03LA 30 V

 3.3. Size:548K  st
stv160nf03l.pdfpdf_icon

STV160NF03LT4

STV160NF03L N-CHANNEL 30V - 0.0019 - 160A PowerSO-10 STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STV160NF03L 30 V

Другие IGBT... STL8P2UH7, STL8P4LLF6, STL90N10F7, STL9N60M2, STL9P2UH7, STV160NF02LAT4, STV160NF02LT4, STV160NF03LAT4, SKD502T, STV200N55F3, STV60NE06-16, STW10N105K5, STW10N95K5, STW10NA50, STW11NB80, STW12NA60, STW12NM60N