STV60NE06-16 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STV60NE06-16
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERSO-10
Búsqueda de reemplazo de STV60NE06-16 MOSFET
STV60NE06-16 Datasheet (PDF)
stv60ne06-16.pdf

STV60NE06-16N - CHANNEL 60V - 0.013 - 60A PowerSO-10STripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTV60NE06-16 60 V
Otros transistores... STL90N10F7 , STL9N60M2 , STL9P2UH7 , STV160NF02LAT4 , STV160NF02LT4 , STV160NF03LAT4 , STV160NF03LT4 , STV200N55F3 , AO4407 , STW10N105K5 , STW10N95K5 , STW10NA50 , STW11NB80 , STW12NA60 , STW12NM60N , STW13N60M2 , STW13N80K5 .
History: DG2N65-252 | ME7170 | AONR21305C | STN1NF10 | 2SK3269 | HX2302 | STH6N95K5-2
History: DG2N65-252 | ME7170 | AONR21305C | STN1NF10 | 2SK3269 | HX2302 | STH6N95K5-2



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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