STV60NE06-16 Todos los transistores

 

STV60NE06-16 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STV60NE06-16
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 115 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERSO-10

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET STV60NE06-16

 

STV60NE06-16 Datasheet (PDF)

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STV60NE06-16
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STV60NE06-16N - CHANNEL 60V - 0.013 - 60A PowerSO-10STripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTV60NE06-16 60 V

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