STV60NE06-16 datasheet, аналоги, параметры транзистора

STV60NE06-16 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STV60NE06-16

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 125 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: POWERSO-10

Аналог (замена) для STV60NE06-16

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:84K st
stv60ne06-16.pdf pdf_icon

STV60NE06-16 N - CHANNEL 60V - 0.013 - 60A PowerSO-10 STripFET POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STV60NE06-16 60 V

8.1. Size:329K st
stv60n05.pdf pdf_icon

8.2. Size:333K st
stv60n03l-12.pdf pdf_icon

8.3. Size:327K st
stv60n06.pdf pdf_icon