IXFT40N30Q Todos los transistores

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IXFT40N30Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFT40N30Q

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 300 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 300 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Corriente continua de drenaje (Id): 40 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.085 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO268

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IXFT40N30Q Datasheet (PDF)

1.1. ixfh40n30q ixft40n30q.pdf Size:50K _ixys

IXFT40N30Q
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IXFH 40N30Q HiPerFETTM VDSS = 300 V IXFT 40N30Q Power MOSFETs ID25 = 40 A Q-Class RDS(on) = 80 mW trr £ 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg Preliminary data sheet TO-268 (IXFT) Case Style Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25°C to 150°C 300 V VDGR TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MW 300 V VGS Continuous ±20 V G (TAB) VGSM Transie

3.1. ixfh40n50q ixft40n50q.pdf Size:123K _ixys

IXFT40N30Q
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Advanced Technical Information IXFH 40N50Q VDSS = 500 V HiPerFETTM IXFT 40N50Q ID25 = 40 A Power MOSFETs ? RDS(on) = 0.14 ? ? ? ? Q-Class ? ? trr ? 250 ns ? ? N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25C to 150C 500 V VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M? 500 V VGS Continuous 30 V (TA

4.1. ixfh400n075t2-ixft400n075t2.pdf Size:188K _ixys

IXFT40N30Q
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Advance Technical Information TrenchT2TM HiperFETTM VDSS = 75V IXFH400N075T2 ID25 = 400A Power MOSFET IXFT400N075T2 ? ? RDS(on) ? ? ? 2.3m? ? ? ? ? N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-247 (IXFH) G Symbol Test Conditions Maximum Ratings D D (Tab) S VDSS TJ = 25C to 175C75 V VDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M? 75 V VGSS Continuous 20 V VGSM Tr

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