IXFT40N30Q Todos los transistores

 

IXFT40N30Q MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFT40N30Q

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 650 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm

Encapsulados: TO268

 Búsqueda de reemplazo de IXFT40N30Q MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IXFT40N30Q datasheet

 ..1. Size:50K  ixys
ixfh40n30q ixft40n30q.pdf pdf_icon

IXFT40N30Q

IXFH 40N30Q HiPerFETTM VDSS = 300 V IXFT 40N30Q Power MOSFETs ID25 = 40 A Q-Class RDS(on) = 80 mW trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg Preliminary data sheet TO-268 (IXFT) Case Style Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 300 V VGS Continuous 20 V G (TAB) VGSM Transie

 7.1. Size:265K  ixys
ixft40n85xhv ixfh40n85x.pdf pdf_icon

IXFT40N30Q

Advance Technical Information X-Class HiPerFETTM VDSS = 850V IXFT40N85XHV Power MOSFET ID25 = 40A IXFH40N85X RDS(on) 145m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-268HV (IXFT) Fast Intrinsic Diode G Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25 C to 150 C 850 V D (Tab) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 850 V TO-

 7.2. Size:122K  ixys
ixft40n50q.pdf pdf_icon

IXFT40N30Q

Advanced Technical Information IXFH 40N50Q VDSS = 500 V HiPerFETTM IXFT 40N50Q ID25 = 40 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.14 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500

 7.3. Size:123K  ixys
ixfh40n50q ixft40n50q.pdf pdf_icon

IXFT40N30Q

Advanced Technical Information IXFH 40N50Q VDSS = 500 V HiPerFETTM IXFT 40N50Q ID25 = 40 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.14 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500

Otros transistores... IXFT20N60Q , IXFT20N80Q , IXFT24N100 , IXFT26N50Q , IXFT26N60Q , IXFT30N50 , IXFT32N50 , IXFT32N50Q , 12N60 , IXFT4N100Q , IXFT52N30Q , IXFT58N20Q , IXFT60N25Q , IXFT6N100Q , IXFT7N90 , IXFT80N10Q , IXFT80N20Q .

 

 

 


🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E | ASB65R120EFD | ASB60R150E | ASA80R900E | ASA80R750E | ASA80R290E | ASA70R950E | ASA70R600E | ASA70R380E | ASA70R240E | ASA65R850E | ASA65R550E | ASA65R350E

 

 

 

Popular searches

bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n

 

 

↑ Back to Top
.