IXFT40N30Q - описание и поиск аналогов

 

IXFT40N30Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFT40N30Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: TO268

Аналог (замена) для IXFT40N30Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFT40N30Q даташит

 ..1. Size:50K  ixys
 ixfh40n30q ixft40n30q.pdf pdf_icon

IXFT40N30Q

IXFH 40N30Q HiPerFETTM VDSS = 300 V IXFT 40N30Q Power MOSFETs ID25 = 40 A Q-Class RDS(on) = 80 mW trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg Preliminary data sheet TO-268 (IXFT) Case Style Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 300 V VGS Continuous 20 V G (TAB) VGSM Transie

 7.1. Size:265K  ixys
 ixft40n85xhv ixfh40n85x.pdf pdf_icon

IXFT40N30Q

Advance Technical Information X-Class HiPerFETTM VDSS = 850V IXFT40N85XHV Power MOSFET ID25 = 40A IXFH40N85X RDS(on) 145m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-268HV (IXFT) Fast Intrinsic Diode G Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25 C to 150 C 850 V D (Tab) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 850 V TO-

 7.2. Size:122K  ixys
 ixft40n50q.pdf pdf_icon

IXFT40N30Q

Advanced Technical Information IXFH 40N50Q VDSS = 500 V HiPerFETTM IXFT 40N50Q ID25 = 40 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.14 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500

 7.3. Size:123K  ixys
 ixfh40n50q ixft40n50q.pdf pdf_icon

IXFT40N30Q

Advanced Technical Information IXFH 40N50Q VDSS = 500 V HiPerFETTM IXFT 40N50Q ID25 = 40 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.14 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFT20N60Q , IXFT20N80Q , IXFT24N100 , IXFT26N50Q , IXFT26N60Q , IXFT30N50 , IXFT32N50 , IXFT32N50Q , 12N60 , IXFT4N100Q , IXFT52N30Q , IXFT58N20Q , IXFT60N25Q , IXFT6N100Q , IXFT7N90 , IXFT80N10Q , IXFT80N20Q .

History: IRF3205LPBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.