STW20NM65N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STW20NM65N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: TO-247

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STW20NM65N datasheet

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STW20NM65N

STW20NM65N-STI20NM65N-STF20NM65N STB20NM65N-STP20NM65N N-channel 650V - 0.16 - 19A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 Second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS Type RDS(on) Max ID (@TJmax) 3 2 3 1 2 1 STB20NM65N 710V

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STW20NM65N

STB20NM60-1 - STP20NM60FP STB20NM60 - STP20NM60 - STW20NM60 N-channel 600V - 0.25 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAK MDmesh Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID 3 1 STP20NM60 600V

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STW20NM65N

STF20NM60D - STP20NM60FD STW20NM60FD N-channel 600V - 0.26 - 20A - TO-220 - TO-220FP - TO-247 FDmesh Power MOSFET (with fast diode) General features Type VDSS RDS(on) ID Pw STF20NM60D 600V

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STW20NM65N

STW20NM60 N-CHANNEL 600V - 0.26 - 20A TO-247 MDmesh Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW20NM60 600V

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