STW20NM65N Todos los transistores

 

STW20NM65N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STW20NM65N
   Código: 20NM65N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 70 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
     - Selección de transistores por parámetros

 

STW20NM65N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:543K  st
 stw20nm65n.pdf pdf_icon

STW20NM65N

STW20NM65N-STI20NM65N-STF20NM65NSTB20NM65N-STP20NM65NN-channel 650V - 0.16 - 19A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247Second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) Max ID(@TJmax)323121STB20NM65N 710V

 6.1. Size:444K  st
 stb20nm60 stp20nm60fp stp20nm60 stw20nm60.pdf pdf_icon

STW20NM65N

STB20NM60-1 - STP20NM60FPSTB20NM60 - STP20NM60 - STW20NM60N-channel 600V - 0.25 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAKMDmesh Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID31STP20NM60 600V

 6.2. Size:344K  st
 stf20nm60d stp20nm60fd stw20nm60fd.pdf pdf_icon

STW20NM65N

STF20NM60D - STP20NM60FDSTW20NM60FDN-channel 600V - 0.26 - 20A - TO-220 - TO-220FP - TO-247FDmesh Power MOSFET (with fast diode)General featuresType VDSS RDS(on) ID PwSTF20NM60D 600V

 6.3. Size:256K  st
 stw20nm60.pdf pdf_icon

STW20NM65N

STW20NM60N-CHANNEL 600V - 0.26 - 20A TO-247MDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW20NM60 600V

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