STW20NM65N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STW20NM65N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для STW20NM65N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW20NM65N даташит

 ..1. Size:543K  st
 stw20nm65n.pdf pdf_icon

STW20NM65N

STW20NM65N-STI20NM65N-STF20NM65N STB20NM65N-STP20NM65N N-channel 650V - 0.16 - 19A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 Second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS Type RDS(on) Max ID (@TJmax) 3 2 3 1 2 1 STB20NM65N 710V

 6.1. Size:444K  st
 stb20nm60 stp20nm60fp stp20nm60 stw20nm60.pdf pdf_icon

STW20NM65N

STB20NM60-1 - STP20NM60FP STB20NM60 - STP20NM60 - STW20NM60 N-channel 600V - 0.25 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAK MDmesh Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID 3 1 STP20NM60 600V

 6.2. Size:344K  st
 stf20nm60d stp20nm60fd stw20nm60fd.pdf pdf_icon

STW20NM65N

STF20NM60D - STP20NM60FD STW20NM60FD N-channel 600V - 0.26 - 20A - TO-220 - TO-220FP - TO-247 FDmesh Power MOSFET (with fast diode) General features Type VDSS RDS(on) ID Pw STF20NM60D 600V

 6.3. Size:256K  st
 stw20nm60.pdf pdf_icon

STW20NM65N

STW20NM60 N-CHANNEL 600V - 0.26 - 20A TO-247 MDmesh Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW20NM60 600V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STW18NK80Z, STW18NM60ND, STW19NM60N, STW19NM65N, STW200NF03, STW20N65M5, STW20NB50, STW20NK70Z, P60NF06, STW21NM50N, STW21NM60N, STW220NF75, STW22N95K5, STW23N85K5, STW23NM60N, STW24N60DM2, STW24N60M2