STW29NK50Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STW29NK50Z
   Código: W29NK50Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 350 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 31 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 190 nC
   Tiempo de subida (tr): 41 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 697 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STW29NK50Z

STW29NK50Z Datasheet (PDF)

..1. Size:523K st
stw29nk50z.pdf

STW29NK50ZN-CHANNEL 500 V - 0.105 - 31A TO-247Zener-Protected SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PWSTW29NK50Z 500 V

0.1. Size:275K st
stw29nk50zd.pdf

STW29NK50ZDN-CHANNEL 500 V - 0.095 - 29A TO-247Fast Diode SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PWSTW29NK50ZD 500 V

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History: TSP7N65M

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: