STW29NK50Z Todos los transistores

 

STW29NK50Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STW29NK50Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 350 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 697 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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STW29NK50Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:523K  st
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STW29NK50Z

STW29NK50ZN-CHANNEL 500 V - 0.105 - 31A TO-247Zener-Protected SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PWSTW29NK50Z 500 V

 0.1. Size:275K  st
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STW29NK50Z

STW29NK50ZDN-CHANNEL 500 V - 0.095 - 29A TO-247Fast Diode SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PWSTW29NK50ZD 500 V

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History: JCS50N06RH | 2SK3313 | AOI4S60 | PJS6806 | SPP11N80C3 | FTK1N60P | SWP085R06V7T

 

 
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