STW29NK50Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STW29NK50Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 697 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для STW29NK50Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW29NK50Z даташит

 ..1. Size:523K  st
 stw29nk50z.pdf pdf_icon

STW29NK50Z

STW29NK50Z N-CHANNEL 500 V - 0.105 - 31A TO-247 Zener-Protected SuperMESH MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID PW STW29NK50Z 500 V

 0.1. Size:275K  st
 stw29nk50zd.pdf pdf_icon

STW29NK50Z

Другие IGBT... STW25NM60N, STW265N6F6AG, STW26NM60, STW26NM60ND, STW28N60M2, STW28N65M2, STW28NK60Z, STW28NM60ND, AO4407A, STW29NK50ZD, STW30N20, STW30NM60D, STW30NM60N, STW30NM60ND, STW31N65M5, STW32NM50N, STW33N20