STW29NK50ZD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STW29NK50ZD
Código: W29NK50ZD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 350 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 29 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 180 nC
Tiempo de subida (tr): 43 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 710 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.13 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STW29NK50ZD
STW29NK50ZD Datasheet (PDF)
stw29nk50zd.pdf
STW29NK50ZDN-CHANNEL 500 V - 0.095 - 29A TO-247Fast Diode SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PWSTW29NK50ZD 500 V
stw29nk50z.pdf
STW29NK50ZN-CHANNEL 500 V - 0.105 - 31A TO-247Zener-Protected SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PWSTW29NK50Z 500 V
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