STW30NM60D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STW30NM60D
   Código: W30NM60D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 82 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.145 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STW30NM60D

STW30NM60D Datasheet (PDF)

..1. Size:267K st
stw30nm60d.pdf

STW30NM60DN-channel 600V - 0.125 - 30A - TO-247Fast diode MDmesh Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTW30NM60D 600V

5.1. Size:770K st
stb30nm60n stf30nm60n stp30nm60n stw30nm60n.pdf

STB30NM60N,STI30NM60N,STF30NM60NSTP30NM60N, STW30NM60NN-channel 600 V, 0.1 , 25 A, MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAKFeaturesRDS(on) VDSS @ Type ID PWTJmaxmax33121STB30NM60N 650 V

5.2. Size:766K st
stb30nm60n sti30nm60n stf30nm60n stp30nm60n stw30nm60n.pdf

5.3. Size:792K st
stw30nm60nd stp30nm60nd stf30nm60nd sti30nm60nd stb30nm60nd.pdf

STx30NM60NDN-channel 600 V, 0.11 , 25 A FDmesh II Power MOSFET(with fast diode) TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247FeaturesVDSS @TJ RDS(on) Type IDmax max3322 2STB30NM60ND 25 AI PAK11TO-247STI30NM60ND 25 ASTF30NM60ND 650 V 0.13 25 A(1)3STP30NM60ND 25 A12D PAKSTW30NM60ND 25 A1. Limited only by maximum temperature allowed32 3 T

5.4. Size:789K st
stf30nm60nd stp30nm60nd stw30nm60nd.pdf