STW34N65M5 Todos los transistores

 

STW34N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STW34N65M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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STW34N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1424K  st
stb34n65m5 sti34n65m5 stp34n65m5 stw34n65m5.pdf pdf_icon

STW34N65M5

STB34N65M5, STI34N65M5, STP34N65M5, STW34N65M5N-channel 650 V, 0.09 typ., 28 A MDmesh V Power MOSFETs in D2PAK, I2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeatures TABTABOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID231321STB34N65M5D2PAKI2PAKSTI34N65M5710 V 0.11 28 ATABSTP34N65M5STW34N65M5 Worldwide best RDS(on) * area332

 ..2. Size:1315K  st
stb34n65m5 stf34n65m5 stfi34n65m5 stp34n65m5 stw34n65m5.pdf pdf_icon

STW34N65M5

STB34N65M5, STF34N65M5, STFI34N65M5,STI34N65M5, STP34N65M5, STW34N65M5N-channel 650 V, 0.09 typ., 28 A MDmesh V Power MOSFET in a D2PAK, TO-220FP, I2PAKFP, I2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABVDSS @ RDS(on) Order codes ID2TJmax max313STB34N65M52D2PAK1TO-220FPSTF34N65M5I2PAKFPSTFI34N65M5 TABTAB710 V

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stf34nm60n stp34nm60n stw34nm60n.pdf pdf_icon

STW34N65M5

STF34NM60NSTP34NM60N, STW34NM60NN-channel 600 V, 0.092 , 29 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-247, TO-220FPPreliminary dataFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PTOTmax.3322STF34NM60N 600 V 0.105 29 A 40 W11STP34NM60N 600 V 0.105 29 A 210 WTO-247TO-220STW34NM60N 600 V 0.105 29 A 210 W 100% avalanche tested3 Low input capacitance and ga

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STW34N65M5

STW34NM60NN-channel 600 V, 0.092 typ., 31.5 A MDmesh II Power MOSFETs in a TO-247 packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDSS RDS(on) ID PTOTSTW34NM60N 600 V 0.105 31.5 A 250 W 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge3 Low gate input resistance21ApplicationsTO-247 Switching applicationsDescriptionFigure 1.

Otros transistores... STW30N20 , STW30NM60D , STW30NM60N , STW30NM60ND , STW31N65M5 , STW32NM50N , STW33N20 , STW33N60M2 , IRF540 , STW36N55M5 , STW36NM60ND , STW38N65M5 , STW38NB20 , STW3N170 , STW40N20 , STW40N60M2 , STW40N65M2 .

History: AOD498 | NVMFD5C462N | P2003EEA | BSR606N | 7N65L-T2Q-T | DMN3135LVT | VBZE04N03

 

 
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