STW34N65M5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STW34N65M5
Маркировка: 34N65M5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 28 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 62.5 nC
Время нарастания (tr): 8.7 ns
Выходная емкость (Cd): 75 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.11 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для STW34N65M5
STW34N65M5 Datasheet (PDF)
stb34n65m5 sti34n65m5 stp34n65m5 stw34n65m5.pdf
STB34N65M5, STI34N65M5, STP34N65M5, STW34N65M5N-channel 650 V, 0.09 typ., 28 A MDmesh V Power MOSFETs in D2PAK, I2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeatures TABTABOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID231321STB34N65M5D2PAKI2PAKSTI34N65M5710 V 0.11 28 ATABSTP34N65M5STW34N65M5 Worldwide best RDS(on) * area332
stb34n65m5 stf34n65m5 stfi34n65m5 stp34n65m5 stw34n65m5.pdf
STB34N65M5, STF34N65M5, STFI34N65M5,STI34N65M5, STP34N65M5, STW34N65M5N-channel 650 V, 0.09 typ., 28 A MDmesh V Power MOSFET in a D2PAK, TO-220FP, I2PAKFP, I2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABVDSS @ RDS(on) Order codes ID2TJmax max313STB34N65M52D2PAK1TO-220FPSTF34N65M5I2PAKFPSTFI34N65M5 TABTAB710 V
stf34nm60n stp34nm60n stw34nm60n.pdf
STF34NM60NSTP34NM60N, STW34NM60NN-channel 600 V, 0.092 , 29 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-247, TO-220FPPreliminary dataFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PTOTmax.3322STF34NM60N 600 V 0.105 29 A 40 W11STP34NM60N 600 V 0.105 29 A 210 WTO-247TO-220STW34NM60N 600 V 0.105 29 A 210 W 100% avalanche tested3 Low input capacitance and ga
stw34nm60n.pdf
STW34NM60NN-channel 600 V, 0.092 typ., 31.5 A MDmesh II Power MOSFETs in a TO-247 packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDSS RDS(on) ID PTOTSTW34NM60N 600 V 0.105 31.5 A 250 W 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge3 Low gate input resistance21ApplicationsTO-247 Switching applicationsDescriptionFigure 1.
stw34nm60nd stb34nm60nd stf34nm60nd stp34nm60nd.pdf
STB34NM60ND, STF34NM60ND, STP34NM60ND, STW34NM60NDN-channel 600 V, 0.097 typ., 29 A FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247Datasheet production dataFeatures TABOrder codes VDS @TJ max. RDS(on) max. ID31STB34NM60ND321D2PAKSTF34NM60NDTO-220FP650 V 0.110 29 A STP34NM60NDTABSTW34NM60ND The worlds bes
stw34nb20.pdf
STW34NB20N-CHANNEL 200V - 0.062 - 34A TO-247PowerMESH MOSFETTable 1. General Features Figure 1. PackageType VDSS RDS(on) IDSTW34NB20 200 V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
