STW36N55M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STW36N55M5
Código: 36N55M5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 190 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 550 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 33 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 62 nC
Tiempo de subida (tr): 13 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 75 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.08 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STW36N55M5
STW36N55M5 Datasheet (PDF)
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STW36NM60NN-channel 600 V, 0.092 , 29 A, MDmesh II Power MOSFETin TO-247FeaturesRDS(on) VDSS @ Order code ID PWTJmaxmaxSTW36NM60N 650 V
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STB36NM60ND, STW36NM60NDAutomotive-grade N-channel 600 V, 0.097 typ., 29 A FDmesh II Power MOSFETs (with fast diode) in D2PAK and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesVDSS @TJ RDS(on) Order codes IDmax. max.TABSTB36NM60ND650 V 0.110 29 ASTW36NM60ND3 Designed for automotive applications and 1 32 AEC-Q101 qualified1 100% avalanche t
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