Справочник MOSFET. STW36N55M5

 

STW36N55M5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STW36N55M5
   Маркировка: 36N55M5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 550 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 33 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 62 nC
   Время нарастания (tr): 13 ns
   Выходная емкость (Cd): 75 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для STW36N55M5

 

 

STW36N55M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:759K  st
stp36n55m5 stw36n55m5.pdf

STW36N55M5
STW36N55M5

STP36N55M5 STW36N55M5N-channel 550 V, 0.06 typ., 33 A MDmesh V Power MOSFET in TO-220 and TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesVDSS @ RDS(on) Order codes IDTJmax maxTABSTP36N55M5600 V

 8.1. Size:859K  st
stw36nm60n.pdf

STW36N55M5
STW36N55M5

STW36NM60NN-channel 600 V, 0.092 , 29 A, MDmesh II Power MOSFETin TO-247FeaturesRDS(on) VDSS @ Order code ID PWTJmaxmaxSTW36NM60N 650 V

 8.2. Size:1353K  st
stb36nm60nd stw36nm60nd.pdf

STW36N55M5
STW36N55M5

STB36NM60ND, STW36NM60NDAutomotive-grade N-channel 600 V, 0.097 typ., 29 A FDmesh II Power MOSFETs (with fast diode) in D2PAK and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesVDSS @TJ RDS(on) Order codes IDmax. max.TABSTB36NM60ND650 V 0.110 29 ASTW36NM60ND3 Designed for automotive applications and 1 32 AEC-Q101 qualified1 100% avalanche t

 8.3. Size:415K  st
stp36n60m6 stw36n60m6.pdf

STW36N55M5
STW36N55M5

STP36N60M6, STW36N60M6N-channel 600 V, 85 m typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFETs in TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TABOrder code V R max. I DS DS(on) DSTP36N60M6 600 V 99 m 30 A STW36N60M6 33 Reduced switching losses 221 Lower R x area vs previous generation DS(on)1 Low gate input resistance 100% avalanche tested

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top