STW36NM60ND MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STW36NM60ND

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 53.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 168 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm

Encapsulados: TO-247

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STW36NM60ND datasheet

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STW36NM60ND

STB36NM60ND, STW36NM60ND Automotive-grade N-channel 600 V, 0.097 typ., 29 A FDmesh II Power MOSFETs (with fast diode) in D2PAK and TO-247 packages Datasheet - production data Features VDSS @TJ RDS(on) Order codes ID max. max. TAB STB36NM60ND 650 V 0.110 29 A STW36NM60ND 3 Designed for automotive applications and 1 3 2 AEC-Q101 qualified 1 100% avalanche t

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STW36NM60ND

STW36NM60N N-channel 600 V, 0.092 , 29 A, MDmesh II Power MOSFET in TO-247 Features RDS(on) VDSS @ Order code ID PW TJmax max STW36NM60N 650 V

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STW36NM60ND

STP36N60M6, STW36N60M6 N-channel 600 V, 85 m typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFETs in TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB Order code V R max. I DS DS(on) D STP36N60M6 600 V 99 m 30 A STW36N60M6 3 3 Reduced switching losses 2 2 1 Lower R x area vs previous generation DS(on) 1 Low gate input resistance 100% avalanche tested

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STW36NM60ND

STP36N55M5 STW36N55M5 N-channel 550 V, 0.06 typ., 33 A MDmesh V Power MOSFET in TO-220 and TO-247 packages Datasheet production data Features VDSS @ RDS(on) Order codes ID TJmax max TAB STP36N55M5 600 V

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