STW48N60M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STW48N60M2
   Código: 48N60M2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 70 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 143 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STW48N60M2

STW48N60M2 Datasheet (PDF)

..1. Size:780K st
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STW48N60M2 N-channel 600 V, 0.06 typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code V Jmax DS(on) DDS @ T R max I STW48N60M2 650 V 0.07 42 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile OSS32 100% avalanche tested 1 Zener-protected TO-247Applications Switchin

0.1. Size:760K st
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STW48N60M2-4 N-channel 600 V, 0.06 typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package Datasheet - production data Features Order code V Jmax DS(on) DDS @ T R max I STW48N60M2-4 650 V 0.07 42 A Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile oss 100% a

5.1. Size:433K st
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STW48N60M6-4DatasheetN-channel 600 V, 61 m typ., 39 A, MDmesh M6 Power MOSFET in a TO2474 packageFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codeSTW48N60M6-4 600 V 69 m 39 A Reduced switching losses Lower RDS(on) per area vs previous generation432 Low gate input resistance1 100% avalanche testedTO247-4 Zener-protectedDrain(1) Excellent swit

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stw48n60m6.pdf

STW48N60M6DatasheetN-channel 600 V, 61 m typ., 39 A, MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247 packageFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codeSTW48N60M6 600 V 69 m 39 A Reduced switching losses32 Lower RDS(on) per area vs previous generation1 Low gate input resistanceTO-247 100% avalanche tested Zener-protectedD(2, TAB)Applications Switchin

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: PDC4801R

Liste

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