STW48N60M2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STW48N60M2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для STW48N60M2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW48N60M2 даташит

 ..1. Size:780K  st
 stw48n60m2.pdf pdf_icon

STW48N60M2

STW48N60M2 N-channel 600 V, 0.06 typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code V Jmax DS(on) D DS @ T R max I STW48N60M2 650 V 0.07 42 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile OSS 3 2 100% avalanche tested 1 Zener-protected TO-247 Applications Switchin

 0.1. Size:760K  st
 stw48n60m2-4.pdf pdf_icon

STW48N60M2

STW48N60M2-4 N-channel 600 V, 0.06 typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package Datasheet - production data Features Order code V Jmax DS(on) D DS @ T R max I STW48N60M2-4 650 V 0.07 42 A Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile oss 100% a

 5.1. Size:433K  st
 stw48n60m6-4.pdf pdf_icon

STW48N60M2

STW48N60M6-4 Datasheet N-channel 600 V, 61 m typ., 39 A, MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247 4 package Features VDS RDS(on) max. ID Order code STW48N60M6-4 600 V 69 m 39 A Reduced switching losses Lower RDS(on) per area vs previous generation 4 3 2 Low gate input resistance 1 100% avalanche tested TO247-4 Zener-protected Drain(1) Excellent swit

 5.2. Size:461K  st
 stw48n60m6.pdf pdf_icon

STW48N60M2

STW48N60M6 Datasheet N-channel 600 V, 61 m typ., 39 A, MDmesh M6 Power MOSFET in a TO 247 package Features VDS RDS(on) max. ID Order code STW48N60M6 600 V 69 m 39 A Reduced switching losses 3 2 Lower RDS(on) per area vs previous generation 1 Low gate input resistance TO-247 100% avalanche tested Zener-protected D(2, TAB) Applications Switchin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STW3N170, STW40N20, STW40N60M2, STW40N65M2, STW40N95K5, STW43NM50N, STW45N65M5, STW46NF30, IRF3710, STW48N60M2-4, STW50NB20, STW54NK30Z, STW55NM50N, STW56N60M2, STW56N60M2-4, STW56N65M2, STW56N65M2-4