STW57N65M5 Todos los transistores

 

STW57N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STW57N65M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.063 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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STW57N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1044K  st
 stw57n65m5 stwa57n65m5.pdf pdf_icon

STW57N65M5

STW57N65M5, STWA57N65M5N-channel 650 V, 0.056 typ., 42 A MDmesh V Power MOSFETs in TO-247 and TO-247 long leads packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTW57N65M5710 V 0.063 42 ASTWA57N65M5 Worldwide best RDS(on)*area amongst the 32silicon based devices1TO-247 Higher VDSS rating, high dv/dt capabilityTO-24

 0.1. Size:1194K  st
 stw57n65m5-4.pdf pdf_icon

STW57N65M5

STW57N65M5-4N-channel 650 V, 0.056 typ., 42 A, MDmesh V Power MOSFET in a TO247-4 packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS @ TJmax max IDSTW57N65M5-4 710 V 0.063 42 A Higher VDS rating4 Higher dv/dt capability321 Excellent switching performance thanks to the extra driving source pinTO247-4 Easy to drive 100% aval

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History: STY100NS20FD | SSM6J414TU | BUK9M42-60E | STW56N65M2-4 | SFB050N135C3 | RJK1560DPP-M0 | IRFS430

 

 
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