STW57N65M5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STW57N65M5
Маркировка: 57N65M5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 250 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 42 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 98 nC
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 115 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.063 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для STW57N65M5
STW57N65M5 Datasheet (PDF)
stw57n65m5 stwa57n65m5.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STW57N65M5, STWA57N65M5N-channel 650 V, 0.056 typ., 42 A MDmesh V Power MOSFETs in TO-247 and TO-247 long leads packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTW57N65M5710 V 0.063 42 ASTWA57N65M5 Worldwide best RDS(on)*area amongst the 32silicon based devices1TO-247 Higher VDSS rating, high dv/dt capabilityTO-24
stw57n65m5-4.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STW57N65M5-4N-channel 650 V, 0.056 typ., 42 A, MDmesh V Power MOSFET in a TO247-4 packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS @ TJmax max IDSTW57N65M5-4 710 V 0.063 42 A Higher VDS rating4 Higher dv/dt capability321 Excellent switching performance thanks to the extra driving source pinTO247-4 Easy to drive 100% aval
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .