Справочник MOSFET. STW57N65M5

 

STW57N65M5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STW57N65M5
   Маркировка: 57N65M5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 250 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 42 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 98 nC
   Время нарастания (tr): 15 ns
   Выходная емкость (Cd): 115 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.063 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для STW57N65M5

 

 

STW57N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1044K  st
stw57n65m5 stwa57n65m5.pdf

STW57N65M5
STW57N65M5

STW57N65M5, STWA57N65M5N-channel 650 V, 0.056 typ., 42 A MDmesh V Power MOSFETs in TO-247 and TO-247 long leads packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTW57N65M5710 V 0.063 42 ASTWA57N65M5 Worldwide best RDS(on)*area amongst the 32silicon based devices1TO-247 Higher VDSS rating, high dv/dt capabilityTO-24

 0.1. Size:1194K  st
stw57n65m5-4.pdf

STW57N65M5
STW57N65M5

STW57N65M5-4N-channel 650 V, 0.056 typ., 42 A, MDmesh V Power MOSFET in a TO247-4 packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS @ TJmax max IDSTW57N65M5-4 710 V 0.063 42 A Higher VDS rating4 Higher dv/dt capability321 Excellent switching performance thanks to the extra driving source pinTO247-4 Easy to drive 100% aval

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top