STW62N65M5 Todos los transistores

 

STW62N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STW62N65M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 330 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.049 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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STW62N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:894K  st
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STW62N65M5

STW62N65M5Automotive-grade N-channel 650 V, 0.041 typ., 46 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO-247 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTW62N65M5 710 V 0.049 46 A Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified32 Extremely low RDS(on)1 Low gate charge and input capacitanceTO-247 Excellent sw

 8.1. Size:408K  st
 stw62nm60n.pdf pdf_icon

STW62N65M5

STW62NM60NN-channel 600 V, 0.04 typ., 65 A, MDmesh II Power MOSFET in a TO-247 packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS IDmaxSTW62NM60N 600 V 0.049 65 A 100% avalanche tested3 Low input capacitance and gate charge21 Low gate input resistanceTO-247Applications Switching applicationsDescriptionFigure 1. Internal sc

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History: HGB050N14S | CHM6338JGP | CEM3258 | AO4453 | TPM2008EP3 | AON7210 | AON6816

 

 
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