STW62N65M5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STW62N65M5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 330 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.049 Ohm

Encapsulados: TO-247

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STW62N65M5 datasheet

 ..1. Size:894K  st
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STW62N65M5

STW62N65M5 Automotive-grade N-channel 650 V, 0.041 typ., 46 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code VDS @ TJmax RDS(on) max ID STW62N65M5 710 V 0.049 46 A Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified 3 2 Extremely low RDS(on) 1 Low gate charge and input capacitance TO-247 Excellent sw

 8.1. Size:408K  st
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STW62N65M5

STW62NM60N N-channel 600 V, 0.04 typ., 65 A, MDmesh II Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features RDS(on) Order code VDS ID max STW62NM60N 600 V 0.049 65 A 100% avalanche tested 3 Low input capacitance and gate charge 2 1 Low gate input resistance TO-247 Applications Switching applications Description Figure 1. Internal sc

Otros transistores... STW56N60M2, STW56N60M2-4, STW56N65M2, STW56N65M2-4, STW57N65M5, STW57N65M5-4, STW60NE10, STW60NM50N, STP75NF75, STW69N65M5, STW69N65M5-4, STW6NA80, STW70N60M2, STW75N20, STW78N65M5, STW7N105K5, STW7NA100