STW62N65M5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STW62N65M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.049 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для STW62N65M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW62N65M5 даташит

 ..1. Size:894K  st
 stw62n65m5.pdf pdf_icon

STW62N65M5

STW62N65M5 Automotive-grade N-channel 650 V, 0.041 typ., 46 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code VDS @ TJmax RDS(on) max ID STW62N65M5 710 V 0.049 46 A Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified 3 2 Extremely low RDS(on) 1 Low gate charge and input capacitance TO-247 Excellent sw

 8.1. Size:408K  st
 stw62nm60n.pdf pdf_icon

STW62N65M5

STW62NM60N N-channel 600 V, 0.04 typ., 65 A, MDmesh II Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features RDS(on) Order code VDS ID max STW62NM60N 600 V 0.049 65 A 100% avalanche tested 3 Low input capacitance and gate charge 2 1 Low gate input resistance TO-247 Applications Switching applications Description Figure 1. Internal sc

Другие IGBT... STW56N60M2, STW56N60M2-4, STW56N65M2, STW56N65M2-4, STW57N65M5, STW57N65M5-4, STW60NE10, STW60NM50N, STP75NF75, STW69N65M5, STW69N65M5-4, STW6NA80, STW70N60M2, STW75N20, STW78N65M5, STW7N105K5, STW7NA100