STW62N65M5 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STW62N65M5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.049 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для STW62N65M5
STW62N65M5 Datasheet (PDF)
stw62n65m5.pdf
STW62N65M5Automotive-grade N-channel 650 V, 0.041 typ., 46 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO-247 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTW62N65M5 710 V 0.049 46 A Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified32 Extremely low RDS(on)1 Low gate charge and input capacitanceTO-247 Excellent sw
stw62nm60n.pdf
STW62NM60NN-channel 600 V, 0.04 typ., 65 A, MDmesh II Power MOSFET in a TO-247 packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS IDmaxSTW62NM60N 600 V 0.049 65 A 100% avalanche tested3 Low input capacitance and gate charge21 Low gate input resistanceTO-247Applications Switching applicationsDescriptionFigure 1. Internal sc
Другие MOSFET... STW56N60M2 , STW56N60M2-4 , STW56N65M2 , STW56N65M2-4 , STW57N65M5 , STW57N65M5-4 , STW60NE10 , STW60NM50N , STP75NF75 , STW69N65M5 , STW69N65M5-4 , STW6NA80 , STW70N60M2 , STW75N20 , STW78N65M5 , STW7N105K5 , STW7NA100 .
History: WFF8N65B | STW57N65M5-4 | NCE603583
History: WFF8N65B | STW57N65M5-4 | NCE603583
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
bd135 | d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058



