STW69N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STW69N65M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 330 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 13.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

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STW69N65M5 Datasheet (PDF)

..1. Size:666K st
stfw69n65m5 stw69n65m5.pdf

STFW69N65M5 STW69N65M5N-channel 650 V, 0.037 typ., 58 A MDmesh V Power MOSFETin TO-3PF and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDSS @ TJmax RDS(on) max IDSTFW69N65M5710 V

0.1. Size:783K st
stw69n65m5-4.pdf

STW69N65M5-4N-channel 650 V, 0.037 typ., 58 A, MDmesh V Power MOSFET in a TO247-4 packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS @ TJmax max IDSTW69N65M5-4 710 V 0.045 58 A Higher VDS rating43 Higher dv/dt capability21 Excellent switching performance thanks to the extra driving source pinTO247-4 Easy to drive 100% aval

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History: AP9T18GH

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: