STW69N65M5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STW69N65M5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 330 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: TO-247

 Búsqueda de reemplazo de STW69N65M5 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

STW69N65M5 datasheet

 ..1. Size:666K  st
 stfw69n65m5 stw69n65m5.pdf pdf_icon

STW69N65M5

STFW69N65M5 STW69N65M5 N-channel 650 V, 0.037 typ., 58 A MDmesh V Power MOSFET in TO-3PF and TO-247 packages Datasheet - production data Features Order codes VDSS @ TJmax RDS(on) max ID STFW69N65M5 710 V

 0.1. Size:783K  st
 stw69n65m5-4.pdf pdf_icon

STW69N65M5

STW69N65M5-4 N-channel 650 V, 0.037 typ., 58 A, MDmesh V Power MOSFET in a TO247-4 package Datasheet - production data Features RDS(on) Order code VDS @ TJmax max ID STW69N65M5-4 710 V 0.045 58 A Higher VDS rating 4 3 Higher dv/dt capability 2 1 Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin TO247-4 Easy to drive 100% aval

Otros transistores... STW56N60M2-4, STW56N65M2, STW56N65M2-4, STW57N65M5, STW57N65M5-4, STW60NE10, STW60NM50N, STW62N65M5, 2N7002, STW69N65M5-4, STW6NA80, STW70N60M2, STW75N20, STW78N65M5, STW7N105K5, STW7NA100, STW7NA80